장민님의 글
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실리콘 단결정을 열처리한후 비저항과 면저항을 측정하는 실험을
얼마전 학교 수업시간에 했습니다. 그런데, 900도로 노냉시킨 시편을
아무리 측정해봐도 비저항과 면저항 측정이 안됩니다..
600도로 공냉시킨 것은 측정이 되는데 왜 안되는 거죠?
빠른 해답부탁드립니다....

----------------- [답 변] -------------------
안녕하십니까?

질문의 요지는 Bulk저항과 Sheet Resistance를 Four Point Probe를 이용하여 측정한 것으로 사료됩니다.

열처리(?)의 목적이 무엇인지요? 혹시 Difussion을 행하고 Drive in공정을 진행시킨 것인지요? 아니면 Implantation을 행하고 Annealing을 행한 것 인지요? 아니면 단순한 산화공정을 진행시킨 것인지요?

우선 공정중에 산화(oxidation)가 진행된 것 같습니다. N2 purge공정을 진행시키시면서 노냉(? : 반도체에서는 사용하지 않는 용어인데..^^)것인지요? purge공정이 충분하지 않으면 900도 노냉중에 고온 산화막이 생길 수 있습니다.

단순한 산화막은 BOE(Buffered Oxide Etchant :HF)로 제거 가능합니다.

무엇보다 중요한것은 원Si 시편의 Background Dopping Level입니다. 백그라운드 도핑이 작으면 저항은 측정되지 않습니다. 600도에서 측정된것이 확산저항인지 백그라운드 저항인지를 확인하시고, 혹시 의문 사항이 있으시면 전 공정[Full Process]과 실험목적을 적어 전기전자기술 포럼에 질문해 주시기 바랍니다.

감사합니다.