우선 기술문서 5번을 참조하시기 바랍니다.

일반적으로 스트레인 게이지의 신호는 출력단의 전위차로 나타나게 됩니다. 우리는 흔히 이것을 엠프를 이용하여 증폭해서 켈리브레이션을 거친뒤 사용하게 됩니다.

그러면 질문 1번의 경우는
우선 Excitation Voltage Vo는 게이지의 저항을 R, 리드선의 저항을 r 이라고 하면 { V}`_{0 } ^{ `} = { V}_{0 } - { { V}_{0 } } over {R } TIMES 2r 만큼 감소하게 됩니다. 그리고 통상 엠프로 입력되는 출력단의 경우 임피던스가 무한대에 가깝기 때문에 약간의 저항은 영향을 주지 않을 것으로 사료됩니다. 그러므로 기몬 수식에서 Excitation Voltage만 위의 계산식에서와 같이 감소한 것으로 계산하시면 될 것입니다.
그리고 실제로 게이지를 이용한 측정장치에서는 BridgeBlock과 엠프가 대게의 경우 하나의 보드에 같이 구성되어 있으므로 결선과정의 저항은 보통 무시할 수 있다고 생각됩니다.

질문 2번의 경우는 기술문서 5번을 참조하시면 될 것 같습니다.