Alloy transistor였군요. 합금접합(alloy) 트랜지스터는 주로 베이스폭을 엷게 제어하기가 어려워 고주파수 특성을 개선하는데는 한도가 있고, 베이스폭이 줄어들면서 베이스의 스프레딩저항이 증가하고 콜랙터의 용량이 증가하므로 시정수(RC)가 크게되어 저주파수용으로 주로 사용되는 트랜지스터입니다. 물론 드리프트형 합금접합트랜지스터도 있기는 하지만 보통 일반적인(?) 트랜지스터의 구분이 아니어서 제가 착각한것 같습니다.
흔히 사용하는 트랜지스터는 BJT, JFET, MESFET, MOS정도입니다. 보통 트랜지스터의 명칭(JIS기준)에 들어가는 A(pnp 고주파용),B(pnp 저주파용),C(npn 고주파용),D (npn 저주파용)이므로 A타입과 J타입으로는 무엇을 질문하시는지 알기가 상당히 난해했습니다.
Alloy transistor였군요. 합금접합(alloy) 트랜지스터는 주로 베이스폭을 엷게 제어하기가 어려워 고주파수 특성을 개선하는데는 한도가 있고, 베이스폭이 줄어들면서 베이스의 스프레딩저항이 증가하고 콜랙터의 용량이 증가하므로 시정수(RC)가 크게되어 저주파수용으로 주로 사용되는 트랜지스터입니다. 물론 드리프트형 합금접합트랜지스터도 있기는 하지만 보통 일반적인(?) 트랜지스터의 구분이 아니어서 제가 착각한것 같습니다.
흔히 사용하는 트랜지스터는 BJT, JFET, MESFET, MOS정도입니다. 보통 트랜지스터의 명칭(JIS기준)에 들어가는 A(pnp 고주파용),B(pnp 저주파용),C(npn 고주파용),D (npn 저주파용)이므로 A타입과 J타입으로는 무엇을 질문하시는지 알기가 상당히 난해했습니다.
어쨋든 답을 찾으셨다니 다행입니다.
감사합니다.