좋은 답변 감사드립니다. 이박사님의 설명을 100% 이해하지 못하여 좀더 상세히 설명을 부탁드려도 실례가 안될런지요? 시편 코팅은 고속용사(HVOF)법을 사용하여 Cr3C2 20NiCr 조성의 Clade powder로 코팅되었읍니다. Carbide가 용출되었다는 부분이 단면 조직상에 1-15 미크론 크기의 형태로 다수 분포하고 있읍니다. 그렇다면 1. 이 부분의 Carbide 양이 다른 부위보다 적다는 뜻으로 해석하면 되는지요? 2. 이 부분에서 Carbide가 용출되었으며, 용출된 Carbide는 확산되어 다른 부분으로 이동되었다는 뜻인가요? 3. 이러한 현상이 나타나는 이유는 화염 온도가 높아서 Powder가 과용융 되었으며, Base Metal에 적층되기 전까지의 짧은 시간에 용출,확산 되었다고 표현해도 되는지요? 두서없이 질문드려 죄송하고요, 바쁘시더라도 시간내시어 명쾌한 답변 부탁드리겠읍니다.
좋은 답변 감사드립니다.
이박사님의 설명을 100% 이해하지 못하여 좀더 상세히 설명을 부탁드려도 실례가 안될런지요?
시편 코팅은 고속용사(HVOF)법을 사용하여 Cr3C2 20NiCr 조성의 Clade powder로 코팅되었읍니다.
Carbide가 용출되었다는 부분이 단면 조직상에 1-15 미크론 크기의 형태로 다수 분포하고 있읍니다.
그렇다면 1. 이 부분의 Carbide 양이 다른 부위보다 적다는 뜻으로 해석하면 되는지요?
2. 이 부분에서 Carbide가 용출되었으며, 용출된 Carbide는 확산되어 다른 부분으로 이동되었다는 뜻인가요?
3. 이러한 현상이 나타나는 이유는 화염 온도가 높아서 Powder가 과용융 되었으며, Base Metal에 적층되기
전까지의 짧은 시간에 용출,확산 되었다고 표현해도 되는지요?
두서없이 질문드려 죄송하고요, 바쁘시더라도 시간내시어 명쾌한 답변 부탁드리겠읍니다.