한성욱님의 글
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최근에 기사등을 보면은.
"미세회로의 선폭의 간격이 5나노미터로 구현하였다 "
이러한 표현을 볼수 있습니다.

그런데 이 선폭이라하는것이.
회로와 회로사이에 띄어져 있는것을 선폭이라고 하는것입니까?
아니면,
5나노미터의 굵기(직경)를 가진 회로가 이루어지는 것입니까?

선폭이라하니 왠지 직경이란 생각이 들어서.
이렇게 질문을 드리게 되었습니다.
선폭에 대해서 답변 부탁드립니다.

꾸벅.
----------------- [답 변] -------------------
안녕하십니까?

선폭은 쉽게 생각하시면 "패턴의 폭"으로 생각하시면 됩니다.

회로와 회로사이가 띄어져있는 것(이를 흔히 아이소레이션(Isolation)이라고 하는데 회로의 개념에 따라 그 범위가 다르겠지요)은 아니고 오히려 5나노 미터의 "폭(직경이 아님)"을 지닌 회로가 형성되는 것입니다.

선폭은 흔히 분해능(Resolution)과 연관이 됩니다. 이는 PR(포토레지스트)에서 구현할 수 있는 가장 작은 면적이나 구멍등을 의미하는데 선폭은 하나의 선의 폭을 의미합니다.

선폭은 포토레지스트의 두께에 따라 다른데 그 이유는 PR을 현상할때의 시간, 핀홀(pinhole)이 형성되지 않을 정도의 두께에 밀접한 연관이 있기때문입니다. 그래서 분해능이란 어떤 PR두께에 대한 가장작은 면 혹은 패턴폭으로 정의되고 이는 PR(포토 레지스트)의 Aspect 비로 표시됩니다. Aspect비는 [선폭(패턴의 폭)/포토레지스트의 두께]로 나타냅니다.

물론 분해능에 영향을 주는 인자는 회절한계, 광학계의 NA등이 있겠지요.

삼성전자의 4G DRAM의 경우 0.10㎛ 의 선폭을 지니고 있습니다.

다음은 질문하신 신문기사를 잠시 인용하면,

"반도체 미세회로선폭의 간격을 5㎚(㎚ : 나노미터=10억분의 1m, 1000분의 1㎛)로 구현한 기술을 미국 노스웨스턴대 나노공정연구센터 홍승훈 박사가 최근 개발했다는 「사이언스」지의 보도와 관련, 미세회로선폭기술에 대한 관심이 고조되고 있다. 미세회로선폭기술은 모든 반도체에 필수적으로 내장되는 트랜지스터의 간격을 얼마만큼 줄이냐는 것이 관건. 미세회로선폭의 간격이 좁아질수록 동일한 크기의 다이에 더 많은 트랜지스터를 내장해 반도체 집적도를 높일 수 있기 때문이다. 또한 트랜지스터의 간격이 좁아질수록 전자이동이 빨라져 동작속도를 늘리면서도 열방출량과 전력소모량을 줄일 수 있어 미세회로선폭기술은 반도체 성능향상을 위한 핵심 기술 중 하나로 평가되고 있다."

라는 기사인데 조금 잘못된 표현을 쓴 것으로 생각됩니다. 트랜지스터의 간격이 아니고 "트랜지스터내의 게이트의 선폭"이라는 표현 등으로 사용해야 합니다. 물론 위와 같이 써도 반도체 소자는 많은 트랜지스터로 이루어지므로 본질적으로 틀린 내용은 아니지만, 선폭의 개념은 잘못된 것 같습니다.

도움이 되었으면 합니다.

감사합니다.